“这是我们研发的4k动态随机存储器芯片，采用的是我们自主研发的电容存储电路。芯片采用译码器、存储阵列、读写电路、缓冲器构成。因为我们的集成度不够，对译码电路进行了重新设计，采用了树状译码电路，大大降低了电路中晶体管的数量。所付出的代价是速度降低，为此我们又加大了缓冲器，以获得一个相对满意的数据存储速度。

  存储电路我们从自身出发，没有采用经典的六管电路，而是大胆研发了一款三管电路。阵列为2的12次方，共4096个存储单元，8位数据线。由于是动态存储，需要多次刷新数据，这点不如静态随机存储器，延迟时间差不多是静态随机存储器的4倍左右。

  不过动态存储电路所需的元器件远少于静态存储器，以我们现在的半导体制造能力来说，采用这种存储电路方式，可以达到与日本方面同样的存储容量，还是值得的。”

  他的话，清晰地表明了材料所研发的这款动态存储器，所针对的目标，居然也是日本半导体内存生产商。

  郭逸铭对他们如此具有针对性的研发，很是讶然。

  “你们是以日本半导体内存，为研发对象的？”他眉毛扬了扬，问道。

  既然要他提供参考意见，他当然先要搞清楚对方为什么要这样做，研发的目的何在，才能准确地给出判断意见。

  所谓的动态存储器，不就是dram嘛！

  严格说来，动态存储器的性能不是很好。由于电容不能长时间存储电流，64毫秒就会失去电流信号，因此至少每64毫秒就必须刷新一次。而在实际使用中，电流的不稳定性，常常会导致数据丢失，所以最好每读写一次就进行一次刷新。这就使得dram的延迟时间，大大高于使用晶体管存储阵列的sram。

  它最大的好处是集成的元器件少，大约只有sram的四分之一，从而降低了制造成本。

  但现在看来，由于国内集成度不高，虽然现在材料所赚了钱，也对这项最赚钱的项目展开了深入研究。但毕竟底子比较薄，现在的最高集成度也才刚刚达到20000以内，所以成本上的优势，根本就体现不出来。

  如此一来，国内研究的这款内存芯片，性能不如日本内存、又没有成本优势，他倒搞不清对方到底在想些什么了。

  “但在存储容量上，我们不比日本内存差！”一直在旁静静听他们说话的傅林，看郭逸铭兴致不高，忍不住插话道。

  “所以呢？”郭逸铭不动声色，反问道。

  “所以我们可以走低价路线，用比日本内存还低的价格，将这款内存推销出去！”傅林说得眉飞色舞，边说还边用肢体语言来带动气氛，显得非常激动，“国家现在急需外汇，而我们可以创造外汇收入的产品还非常少。除了传统的纺织、工艺品之外，我们最拿得出手的，就是我们的集成电路产品。以前我们认为我们的水平低，在国际上没有竞争力——事实上也是如此，我们生产的电子产品质量较差，外观设计又不好看，所以国际销路很不好。

  但这次通过和你们合作，同样是国产的处理器在国际上大受欢迎，并成功地击败了ibm用更高工艺制造的处理器。

  这就给我们打开了一条新思路：未必一定是工艺水平更高的产品才能卖得出去，关键还是要有正确的设计思路……”

  他在那说得口沫四溅，郭逸铭却恍然大悟，明白了材料所为什么要搞这款内存。

  搞了半天，还是受他的启发。

  国内的半导体工艺落后于世界水平，这已是多年来人所尽知的共识。国产用于出口的电子产品，选择的对象也有问题，总是卖人家早已技术成